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(Elektronische Komponenten) P-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor Aod4185

(Elektronische Komponenten) P-Kanal-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor Aod4185

ÜbersichtKurzdetailsModellnummer: AOD4185 Typ: Integrierter Schaltkreis Herkunftsort: Guangdong, China Markenname: NSGD
AKTIE

Beschreibung

Basisinformation
Modell Nr.AOD4185
Land des OriginalsChina
Herstellungsjahr2021
Modell-NrAod4185
AnwendungenMosfet
Strom bei 25 °C – Kontinuierlicher Abfluss (I40A(Tc)
Vgs (Th) bei verschiedenen IDS (Maximum)3 V bei 250 µa
Vgs (Maximum)±20V
Verlustleistung (maximal)2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
Betriebs-Temperatur-55 ~175°C
TransportpaketKartonschachtel
Spezifikation22x17
WarenzeichenSommerzeit
HerkunftZhejiang
HS-Code8529905000
Produktionskapazität1000000
Produktbeschreibung
ÜbersichtKurzdetailsModellnummer: AOD4185

Typ: Integrierter Schaltkreis

Herkunftsort: Guangdong, China

Markenname: NSGD

Anwendungen: Industrielle AnwendungLieferfähigkeitLieferfähigkeit 1.000.000 Stück/Stücke pro Monat

Verpackung und LieferungVorlaufzeit:
Menge (Stück)1 - 1000>1000
Europäische Sommerzeit. Zeit (Tage)7Zu verhandeln

(Electronic Components) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Aod4185

 

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