Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet-Feldeffekttransistor

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AKTIE

Beschreibung

Modell Nr.	IRFB4229PBF
Struktur	Planar
Kapselungsstruktur	Chip-Transistor
Leistungspegel	Hohe Energie
Material	Silizium
Polarität/Kanaltyp	N-Kanal
Produktnummer	Irfb4229pbf
Zustand	Brandneu und Original
Versand per	DHL\UPS\FedEx\EMS\HK PostDhl\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Kategorie	Transistoren
Technologie	Mosfet
Transportpaket	Rohr
Spezifikation	Eisen und Kunststoff
Herkunft	Chn

Produkteigenschaften

FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	46A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm bei 26 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	5 V bei 250 µA
Vgs (Max)	±30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	330 W (Tc)

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