Neuer und originaler Inline-Feldeffekttransistor Irf1010npbf

Neuer und originaler Inline-Feldeffekttransistor Irf1010npbf

Produktbeschreibung: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, dynamische dv/dt-Bewertung, 175 °C Betriebstemperatur, schnel

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Beschreibung

Basisinformation

Modell Nr.	IRF1010N
Kapselungsstruktur	Chip-Transistor
Leistungspegel	Hohe Energie
Material	Silizium
Produktnummer	Irf520npbf
Beschreibung	Mosfet N-CH 100 V 9,7 A bis 220
Kategorie	Mosfet
Produkt	Irf520
Transportpaket	/
Spezifikation	/
Warenzeichen	CHN
Herkunft	Chn

Produktbeschreibung

Extrem niedriger Betriebswiderstand, dynamischer dv/dt-Wert, 175 °C Betriebstemperatur, schnelles Schalten, vollständig Avalanche-zertifiziert

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